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無線電子 共有 44240 個文獻

級聯(lián)PA的效率優(yōu)化策略及其在55nm CMOS E波段PA中的應(yīng)用

    功率放大器;功率附加效率;效率優(yōu)化;毫米波...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

柵控二極管ESD工藝優(yōu)化方法研究

    靜電放電;柵控二極管;控制器局域網(wǎng);傳輸線脈沖;絕緣層上硅...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

一種晶圓級封裝的MEMS數(shù)控衰減器

    數(shù)控衰減器;晶圓級封裝;RF MEMS;MEMS開關(guān)...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

Pb_(90)Sn_(10)焊點硅基器件與PCB板組裝的溫循可靠性研究

    Pb_(90)Sn_(10)焊點;溫度循環(huán);Anand模型仿真;壽命預測...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

一種用于砷化鎵晶圓級堆疊的工藝技術(shù)

    晶圓級堆疊技術(shù);3D集成;砷化鎵穿孔技術(shù);幅相多功能電路;微波集成電路(MMICs)...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

統(tǒng)計靜態(tài)時序分析方法綜述

    統(tǒng)計靜態(tài)時序分析;快速蒙特卡洛仿真法;離散數(shù)值法;查找表法;解析法...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

低壓硅基GaN射頻器件

    射頻器件;GaN...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

增強型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移損傷效應(yīng)研究

    增強型AlGaN/GaN HEMT;中子輻照;位移損傷;退火...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

X波段GaN千瓦級功率放大器的設(shè)計

    大功率;GaN HEMT;X波段;內(nèi)匹配;功率合成...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25

Si/SiC混合并聯(lián)功率器件開關(guān)模式優(yōu)化及特性分析

    SiC/Si;混合器件并聯(lián);開關(guān)過程分析...[繼續(xù)閱讀]

固體電子學研究與進展2023-08-25