砷化鎵;超寬帶;高移相精度;數(shù)控移相器;數(shù)字驅(qū)動(dòng)器;磁耦合全通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)...[繼續(xù)閱讀]
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展2023-08-25
海量資源,盡在掌握
砷化鎵;超寬帶;高移相精度;數(shù)控移相器;數(shù)字驅(qū)動(dòng)器;磁耦合全通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)...[繼續(xù)閱讀]
晶上系統(tǒng);電源分配網(wǎng)絡(luò);電磁和分析模擬;等效電路模型;電壓降...[繼續(xù)閱讀]
失效分析;電路分析;OBIRCH;光發(fā)射顯微鏡;集成電路...[繼續(xù)閱讀]
準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu);肖特基二極管;Silvaco;仿真;電極間距...[繼續(xù)閱讀]
毫米波;GaN-on-Si HEMT;單刀雙擲(SPDT);插入損耗;隔離度...[繼續(xù)閱讀]
占空比檢測(cè);單邊注入;晶體振蕩器;快速啟動(dòng)...[繼續(xù)閱讀]
氮化鎵;結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管;增強(qiáng)型;橫向結(jié)構(gòu);擊穿電壓...[繼續(xù)閱讀]
單光子雪崩二極管(SPAD);雙結(jié)雪崩區(qū);光子探測(cè)概率(PDP);暗計(jì)數(shù)率(DCR);后脈沖概率(AP)...[繼續(xù)閱讀]
UTBB SOI MOSFETs;短溝道效應(yīng);漏致勢(shì)壘降低;埋氧層厚度...[繼續(xù)閱讀]
StakPak;壓接型IGBT;有限元仿真;芯片失效...[繼續(xù)閱讀]