1.背散射電子(Backscatteredelectron,簡(jiǎn)稱(chēng)BSE)以實(shí)驗(yàn)為例:用已知量的束流入射到正偏置的樣品中,僅約70%的電子能量消耗在作用區(qū)內(nèi),其余30%的電子從樣品中背散射出來(lái),這是背散射電子。起因是由于部分入射電子受到樣品原子核在任意方向 (共 4034 字) [閱讀本文] >>
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 1.背散射電子(Backscatteredelectron,簡(jiǎn)稱(chēng)BSE)以實(shí)驗(yàn)為例:用已知量的束流入射到正偏置的樣品中,僅約70%的電子能量消耗在作用區(qū)內(nèi),其余30%的電子從樣品中背散射出來(lái),這是背散射電子。起因是由于部分入射電子受到樣品原子核在任意方向 (共 4034 字) [閱讀本文] >>