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水稻分子生態(tài)栽培 共有 108 個(gè)詞條內(nèi)容

三、UV-B輻射抗性水稻品種Lemont與敏感水稻品種Dular根系Lsi1基因的克隆及相似性比較

    進(jìn)一步克隆了Lemont和Dular根系Lsi1基因的開放閱讀框(ORF),測(cè)序后進(jìn)行相似性比對(duì),結(jié)果顯示,Lemont和Dular根系Lsi1基因序列相似性程度高,僅2個(gè)堿基存在差異;將其翻譯為氨基酸序列重新比對(duì),結(jié)果表明,Lemont和Dular根系Lsi1基因編碼的氨基酸序...[繼續(xù)閱讀]

水稻分子生態(tài)栽培

四、不同轉(zhuǎn)基因水稻根系Lsi1基因的表達(dá)量

    對(duì)轉(zhuǎn)基因及野生型水稻根系Lsi1基因的半定量RT-PCR及定量PCR檢測(cè)結(jié)果表明:轉(zhuǎn)入Lsi1基因RNAi載體的Lemont水稻根系Lsi1基因表達(dá)量較野生型植株下降了53%,說明通過RNAi能夠降低Lemont水稻Lsi1基因的表達(dá)量;轉(zhuǎn)入Lsi1基因過量表達(dá)載體的Lemont水稻...[繼續(xù)閱讀]

水稻分子生態(tài)栽培

五、不同轉(zhuǎn)基因水稻根系硅吸收量及葉片硅含量

    進(jìn)一步測(cè)定Lsi1RNAi的Lemont和Lsi1過量表達(dá)的Lemont水稻根系的硅吸收能力及葉片硅含量,結(jié)果發(fā)現(xiàn),Lsi1RNAi的Lemont每克根干重7d的硅吸收量為18.90mg,顯著低于相同條件下的野生型植株(49.65mg)。與此同時(shí),Lsi1過量表達(dá)的Lemont水稻根系的硅吸收能...[繼續(xù)閱讀]

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六、Lsi1基因表達(dá)變化后Lemont表現(xiàn)型

    觀察各水稻表現(xiàn)型發(fā)現(xiàn),Lsi1增強(qiáng)表達(dá)的Lemont水稻葉片形態(tài)未發(fā)生明顯變化。然而,當(dāng)Lsi1被抑制表達(dá)后,即水稻硅吸收量顯著下降時(shí),轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片出現(xiàn)黃色斑紋(圖2-21),說明水稻硅含量降低將導(dǎo)致其葉片形態(tài)發(fā)生變化,推測(cè)此變化可...[繼續(xù)閱讀]

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七、UV-B輻射下轉(zhuǎn)基因Lemont及野生型葉片苯丙氨酸解氨酶基因及光裂解酶基因的表達(dá)變化

    應(yīng)用半定量RT-PCR檢測(cè)苯丙氨酸解氨酶(PAL)及光裂解酶(photolyase)的基因表達(dá),結(jié)果發(fā)現(xiàn),缺硅培養(yǎng)的野生型Lemont水稻葉片的PAL及photolyase的基因表達(dá)量都低于正常硅營(yíng)養(yǎng)條件的野生型Lemont;UV-B輻射后,兩種營(yíng)養(yǎng)條件下的水稻葉片的PAL及photo...[繼續(xù)閱讀]

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八、UV-B輻射下轉(zhuǎn)基因Lemont及野生型葉片總酚、類黃酮含量

    測(cè)定各水稻葉片的總酚、類黃酮含量,結(jié)果顯示,缺硅條件下野生型Lemont葉片每100g鮮葉的總酚、類黃酮含量分別為20.77mg和8.31mg;同時(shí)正常硅營(yíng)養(yǎng)條件下Lsi1RNAi轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片每100g鮮葉的總酚、類黃酮含量分別為23.79mg和8.11mg,均顯著...[繼續(xù)閱讀]

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九、UV-B輻射下轉(zhuǎn)基因Lemont及野生型的差異表達(dá)基因

    為進(jìn)一步揭示UV-B輻射下,Lsi1基因抗UV-B輻射的分子調(diào)控基礎(chǔ),結(jié)合前期研究獲得的Lsi1過量表達(dá)的Dular,應(yīng)用抑制消減雜交(SSH)分別分離鑒定UV-B輻射下,Lsi1-RNAi轉(zhuǎn)基因Lemont、Lsi1過量表達(dá)的Lemont較野生型Lemont的差異表達(dá)基因,Lsi1過量表達(dá)的...[繼續(xù)閱讀]

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十、硅基因Lsi1介導(dǎo)水稻抵抗UV-B輻射脅迫的作用機(jī)制

    正常硅營(yíng)養(yǎng)條件下,水稻根系Lsi1被抑制表達(dá)的轉(zhuǎn)基因Lemont水稻葉片的PAL基因表達(dá)較其野生型植株也發(fā)生下調(diào),總酚、類黃酮的含量顯著下降,此結(jié)果與缺硅營(yíng)養(yǎng)種植的野生型植株相似,說明抑制根系Lsi1基因表達(dá)將導(dǎo)致水稻防御UV-B輻射能...[繼續(xù)閱讀]

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一、不同光照條件下供試水稻葉片的硅含量

    通過分光光度法測(cè)定并建立硅含量的標(biāo)準(zhǔn)曲線(圖2-23),進(jìn)而對(duì)UV-B輻射條件下和自然光照條件下(CK),各供試水稻品種的硅含量進(jìn)行比較。圖2-23硅含量的標(biāo)準(zhǔn)曲線結(jié)果再次顯示,抗UV-B輻射水稻品種Lemont的硅含量高于UV-B輻射敏感水稻品種...[繼續(xù)閱讀]

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二、不同供試水稻葉片DNA的CPD和6-4-PP含量

    為檢測(cè)UV-B輻射對(duì)不同硅含量水稻葉片DNA的損傷程度,進(jìn)一步分別提取了UV-B輻射前后Lemont、Dular及其Lsi1過量表達(dá)的轉(zhuǎn)基因植株葉片的DNA(圖2-25),用于測(cè)定DNA中的CPD和6-4-PPDNA含量。采用ELISA法測(cè)定不同水稻樣品的吸光值結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)曲線(圖...[繼續(xù)閱讀]

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