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晶閘管換流閥 共有 92 個(gè)詞條內(nèi)容

1.1 換流閥結(jié)構(gòu)

    直流輸電換流閥采用的基本換流單元有6脈動(dòng)換流單元和12脈動(dòng)換流單元兩種,主要區(qū)別在于前者采用6脈動(dòng)換流閥(三相橋式換流回路),后者采用12脈動(dòng)換流閥(由兩個(gè)交流側(cè)電壓相差30°的6脈動(dòng)換流閥所組成)。實(shí)際直流輸電工程中絕大多...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.2 換流閥控制系統(tǒng)

    換流閥控制系統(tǒng)是換流閥的重要組成部分,主要功能是執(zhí)行直流控制保護(hù)系統(tǒng)的觸發(fā)脈沖指令,同時(shí)監(jiān)控?fù)Q流閥設(shè)備運(yùn)行工況,保護(hù)設(shè)備安全運(yùn)行。(1) 閥基電子設(shè)備。閥基電子設(shè)備在高壓直流輸電工程中連接上層控制保護(hù)系統(tǒng)和換流閥...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.3 換流原理

    晶閘管換流閥作為換流站進(jìn)行換流的關(guān)鍵設(shè)備,除了具有整流和逆變的功能外,在整流站還具有開(kāi)關(guān)功能,可利用其快速可控性對(duì)直流輸電的啟動(dòng)和停運(yùn)進(jìn)行快速操作。實(shí)現(xiàn)交流電轉(zhuǎn)換為直流電的設(shè)備稱為整流器,而直流電轉(zhuǎn)換為交流電...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.4.1 換流閥使用條件

    在換流閥的設(shè)計(jì)及運(yùn)行中一般需考慮的典型使用條件如下。(1) 換流閥本體閥塔使用條件。具體條件如下。1)全封閉戶內(nèi),微正壓,帶通風(fēng)和空調(diào);2)長(zhǎng)期運(yùn)行溫度范圍:+10~+50℃;3)最高溫度:+60℃;4)最低溫度:+5℃;5)長(zhǎng)期運(yùn)行濕度:50%RH;6)最大...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.4.2 電氣性能

    (1) 電壓耐受性能。晶閘管閥應(yīng)能承受各種不同的過(guò)電壓,閥的耐壓設(shè)計(jì)應(yīng)考慮保護(hù)裕度,在最大設(shè)計(jì)結(jié)溫并且在所有冗余晶閘管級(jí)數(shù)都損壞的條件下,單閥和多重閥的操作、雷電、陡波等各項(xiàng)絕緣水平均應(yīng)具有不小于10%~15%的安全系數(shù)...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.4.3 熱性能

    (1) 損耗特性。換流閥的損耗特性是高壓直流輸電系統(tǒng)性能保障值的重要基礎(chǔ),是評(píng)價(jià)換流閥性能優(yōu)劣的重要指標(biāo)。根據(jù)直流輸電工程的經(jīng)驗(yàn),換流站在額定工況時(shí)的損耗約小于傳輸功率的1%,而換流閥的損耗則占全站損耗的25%。換流閥...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

1.4.4 換流閥的主要參數(shù)

    選取換流閥時(shí)主要考慮以下參數(shù)。(1) 額定直流電壓,Ud。(2) 額定直流電流,Id。(3) 環(huán)境溫度下過(guò)負(fù)荷電流。(4) 理想空載直流電壓,Udio。(5) 每相換相電抗,Xr。(6) 穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時(shí)的觸發(fā)角,α。(7) 穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時(shí)的關(guān)斷角,γ。(8) 額定功率時(shí)的標(biāo)幺...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

2.1.1 晶閘管特性

    晶閘管的全稱是晶體閘流管,過(guò)去稱為可控硅整流元件。在直流輸電工程中主要使用平板封裝、反向阻斷三極晶閘管,習(xí)慣簡(jiǎn)稱為閥片。晶閘管按觸發(fā)方式分為電觸發(fā)晶閘管、光觸發(fā)晶閘管。直流工程廣泛應(yīng)用電觸發(fā)晶閘管(ETT),按工藝...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

2.1.2 晶閘管基本參數(shù)

    晶閘管的主要技術(shù)參數(shù)如下。(1) 反向重復(fù)峰值電壓VRRM /斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM。即元件兩端出現(xiàn)的最大瞬時(shí)值反向電壓/斷態(tài)電壓,包括所有的重復(fù)瞬態(tài)電壓,但不包括所有的不重復(fù)瞬態(tài)電壓。其中正弦半波反向重復(fù)峰值電壓/斷態(tài)重復(fù)...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥

2.1.3 晶閘管性能提升

    (1) 關(guān)鍵技術(shù)的突破。1)特高壓電力半導(dǎo)體器件電壓片厚比極大化設(shè)計(jì)理念,使晶閘管達(dá)到最高阻斷電壓。按常規(guī)理念,要使晶閘管達(dá)到一個(gè)極高的阻斷電壓(8500V),需要增加硅單晶的厚度。而器件物理原理表明,增加硅片厚度僅有利于獲取...[繼續(xù)閱讀]

晶閘管換流閥
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