(1)陽極鞘層的結(jié)構(gòu)陽極鞘層除鞘電壓的大小外,本質(zhì)上與浮置基板前的等離子體鞘相同。為滿足Bohm判據(jù),進入鞘層的離子必須要有(kTe)/e的能量,因此也有一個準中性的過渡區(qū)。陽極鞘層的厚度很薄,通常比陰極鞘層約小一個數(shù)量級。但...[繼續(xù)閱讀]

    輝光放電中的陰極鞘層和陽極鞘層是等離子體與電極接觸而產(chǎn)生的。實際上當?shù)入x子體與容器壁接觸或在等離子體中插入任何一個絕緣體的表面也都會產(chǎn)生鞘層。等離子體化學中的許多現(xiàn)象和工藝技術(shù)都與電極或基片表面附近鞘層...[繼續(xù)閱讀]

    圖3-10是高頻等離子體發(fā)生裝置的方框圖。圖3-10高頻等離子體發(fā)生裝置的方框圖其中高頻振蕩器必須能承受負載阻抗的大幅度變化。從振蕩器發(fā)出的信號先經(jīng)過脈沖放大器放大,再經(jīng)過功率放大后輸出。阻抗匹配網(wǎng)絡是為了使負載阻...[繼續(xù)閱讀]

    平行板型等離子體反應裝置的等效電路如圖3-13所示。圖3-13平行板型等離子體反應裝置的等效電路...[繼續(xù)閱讀]

    電場頻率的變化將會對放電現(xiàn)象和特征,放電條件和結(jié)果都產(chǎn)生明顯的影響,其原因在于擊穿機制發(fā)生了變化。在交流電場中,若要使放電不受頻率影響,電極間的帶電粒子就必須在1/4周期內(nèi)完全進入電極而不在極間形成空間電荷,否則放...[繼續(xù)閱讀]

    高頻放電在增強電離和維持放電等方面比直流輝光放電有效得多,這已被許多實驗事實所證明。首先,隨著頻率的增加,能夠產(chǎn)生自持放電的最低允許氣壓明顯下降。當頻率為13.56MHz時氣壓低于1.33×10-1Pa還可維持放電。另外,放電氣壓相...[繼續(xù)閱讀]

    從上述的討論中已經(jīng)可以看到高頻放電的優(yōu)點。如無電極放電獲得純凈的等離子體,增強電離提高放電效率等等。除此以外,還有一種情況,即當電極上覆蓋絕緣性物質(zhì)時,就必須采用高頻放電不可了。電極上有絕緣層的情況在等離子體...[繼續(xù)閱讀]

    在高頻放電回路中,為了增加用于放電區(qū)的功率消耗保護振蕩器,常規(guī)的做法就是在高頻電源與輝光放電反應器之間設置阻抗匹配網(wǎng)絡。以便可以按不同放電條件進行調(diào)節(jié),使得高頻發(fā)生器和負載阻抗能夠匹配。根據(jù)無線電原理,對于一...[繼續(xù)閱讀]

    高頻電極的自偏壓是一個重要的問題。但是并不是所有的射頻放電裝置都會產(chǎn)生自偏壓。如果射頻放電回路中沒有隔直電容器,則不會產(chǎn)生自偏壓如圖3-19(a)所示。如果射頻放電回路中有隔直電容器,則會產(chǎn)生自偏壓如圖3-19(b)所示。圖...[繼續(xù)閱讀]

    高頻放電的電位分布隨反應裝置的結(jié)構(gòu)而異,不能一概而論。但無論如何,等離子體區(qū)總是呈最高電位,即等離子體電位Vp。器壁或置于等離子體中的絕緣性物質(zhì)表面總是成浮置電位Vf。一般說來Vp約比Vf高10V左右。下面根據(jù)不同的反應裝...[繼續(xù)閱讀]